KTP-H2201系列采用高可靠性磁悬浮结构设计,适用于离子注入、PVD、CVD、ALD及Etch等多类半导体真空工艺场景。
产品兼容主流设备接口体系,具备优异的系统适配能力与长期稳定运行性能,可满足复杂工艺环境下的高洁净真空需求。
KTP-H2201系列采用高可靠性磁悬浮结构设计,适用于离子注入、PVD、CVD、ALD及Etch等多类半导体真空工艺场景。
产品兼容主流设备接口体系,具备优异的系统适配能力与长期稳定运行性能,可满足复杂工艺环境下的高洁净真空需求。
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分子泵型号 |
KTP-H2201WC(XI) |
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法兰尺寸 |
进气端 |
ISO250-F/VG250/CF250 |
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出气端 |
KF40 |
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吹扫口 |
KF10 |
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冷却水接口 |
RC1/4 |
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额定转速 (r/min) |
27000 |
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抽速 (L/s) |
N2 |
2200 |
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He |
2240 |
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Ar |
2000 |
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H2 |
1750 |
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压缩比 |
N2 |
9.0×108 |
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He |
7.0×104 |
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Ar |
1.0x109 |
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H2 |
4.7x104 |
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极限压强 (Pa) |
<10-7 |
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允许背压 (Pa) |
≥440 |
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最大入口压力 (Pa) |
45 |
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最大出口压力 (Pa) |
350 |
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跌落转速 (r/min) |
4800 |
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额定功率 (W) |
不加热:1500
加热:2000 |
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启动压力 (Pa) |
2000 |
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升速时间 (min) |
< |
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降速时间 (min) |
<8 |
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<工作温度 (℃) |
-15~55 |
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烘烤温度 (℃) |
≥100 |
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安装角度 |
任意角度 |
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冷却方式 |
水冷 |
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振动 (㎛) |
<0.01 |
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噪声(dB) |
<50 |
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控制器类型 |
分体式 |
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控制线长度 (m) |
任意可选 |
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断电保护 |
支持 |
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质量 (kg) |
65 |
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